很多企业的产品宣传上都会说自己生产的LED防爆灯的发光效率是100%，可是真正能够生产出100%发光效率的LED防爆灯却是一台也没有。这一切的说法，都还是只存在于理论阶段的：只要技术过硬，应该没问题。可是真的没有任何问题吗？世间万物都遵循着质量守恒定律，但是想要将能量的损耗降低到零，这还是非常难以实现的，至少目前为止还没有人能够实现。

就目前市面上使用的灯泡光源，我们来做个对比：

1、白炽灯和卤钨灯,其光效为12～24流明／瓦；

2、荧光灯和HID灯的光效为50～120流明／瓦；

3、LED防爆灯预计可达到250流明/瓦,目前可以110流明/瓦,并成功应用与实践中。

新黎明LED防爆灯

从这些数值上我们可以看到，如果条件允许的话，光源的光效还可以更高。可以不断的向100%光效无限靠近，直至达到100%。

目前，能提高发光效率且比较可行的方法有：

1、LED防爆灯激光剥离技能（LLO）： 

激光剥离技能（LLO）是使用激光能量分化GaN/蓝宝石接口处的GaN缓冲层，然后完成LED外延片从蓝宝石衬底别离。技能长处是外延片转移到高热导率的热沉上，可以改善大尺度芯片中电流扩大。n面为出光面：发光面积增大，电极挡光小，便于制备微布局，并且削减刻蚀、磨片、划片。更重要的是蓝宝石衬底可以重复运用。 

2、LED防爆灯芯片键合技能： 

光电子器材对所需求的资料在功能上有必定的需求，一般都需求有大的带宽差和在资料的折射指数上要有很大的改变。可怜的是，一般没有天然的这种资料。用同质外延成长技能一般都不能构成所需求的带宽差和折射指数差，而用一般的异质外延技能，如在硅片上外延GaAs和InP等，不只本钱较高，并且联系接口的位错密度也十分高，很难构成高质量的光电子集成器材。因为低温键合技能可以大大削减不一样资料之间的热失配疑问，削减应力和位错，因而能构成高质量的器材。跟着对键合机理的逐步知道和键合制程技能的逐步老练，多种不一样资料的芯片之间现已可以完成相互键合，然后能够构成一些特别用处的资料和器材。 

3、LED防爆灯通明衬底技能： 

InGaAlP LED显示屏一般是在GaAs衬底上外延成长InGaAlP发光区GaP窗口区制备而成。与InGaAlP比较，GaAs资料具有小得多的禁带宽度，因而，当短波长的光从发光区与窗口外表射入GaAs衬底时，将被全部吸收，变成器材出光功率不高的主要原因。在衬底与约束层之间成长一个布喇格反射区，能将笔直射向衬底的光反射回发光区或窗口，有些改善了器材的出光特性。一个更为有用的办法是先去掉GaAs衬底，代之于全通明的GaP晶体。 

4、LED防爆灯外表微布局技能 ：

外表微布局制程是进步器材出光功率的又一个有用技能，该技能的根本关键是在芯片外表刻蚀很多尺度为光波长量级的小布局，每个布局呈截角四面体状，如此不光扩大了出光面积，并且改变了光在芯片外表处的折射方向，然后使透光功率明显进步。丈量指出，关于窗口层厚度为20μm的器材，出光功率可增加30％。当窗口层厚度减至10μm时，出光功率将有60％的改善。

当然，我们还是很期待LED防爆灯发光效率真正的能达到100%，这样不仅节能，还环保！

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